|
Szczegóły Produktu:
|
| Gaz wykrywania: | AsH3 | Zasada: | Elektrochemiczny |
|---|---|---|---|
| Zakres: | 0 - 10 ppm | Wrażliwość: | 0,6 ± 0,2 µA/ppm |
| T90 Czas reakcji: | ≤ 45 s | Rezolucja: | 0,01 ppm |
| Linia bazowa: | <± 0,2 μA | Maksymalne przeciążenie: | 10 str./min |
| Podkreślić: | Electrochemical Gas Sensor 0-10ppm,MOCVD Gas Sensor Semiconductor Wafer Fab,YJJ 4ASH3-10 Gas Sensor |
||
Product Description: YJJ 4ASH3-10 Electrochemical Gas Sensor 0-10ppm for Semiconductor Wafer Fab MOCVD Features: Core parameters - Detection gas: AsH3 Arsenic Hydride - Measurement range: 0 - 10 ppm - Maximum overload: 10 ppm - Sensitivity (20℃): **0.6 ± 0.2 μA/ppm** - T90 response time: **≤ 45 s** - Resolution: **0.01 ppm** - Baseline (clean air at 20℃): < ±0.2 μA - Full temperature range baseline drift (-20~50℃): equivalent < 0.5 ppm - Bias: **0 mV, no bias required** -
Osoba kontaktowa: Miss. Xu
Tel: 86+13352990255