Chiny Czujnik fotodiody UV

• 

  GS-ABC-2835M Solarny czujnik fotodiodowy UV Czujnik monitorowania ultrafioletowego

  Rozmiar chipa:0,22 mm2

  Pakiet:SMD 2835

  Cechy:Wysoka responsywność, niski prąd ciemny, dobra ślepota na światło widzialne

  Skontaktuj się teraz
• 

  Czujnik indeksu UV 355 nm 0,22 mm2 GT-ABC-M Do monitorowania lamp dezynfekcyjnych UV

  Opis produktu:Rozmiar chipa wynosi 0,22 mm2

  Kapsułkowanie:TO46

  Materiał:Szafirowe okno

  Skontaktuj się teraz
• 

  GT-UVB-M UV Photodiode UV Sensor wykrywania GaN Crawler

  Rozmiar chipa:00,77 mm2

  Kapsułkowanie:Do 46

  Cechy:Szafirowe okno, wysoka wrażliwość, niski prąd ciemny

  Skontaktuj się teraz
• 

  GUVA-S12SD Czujnik lampy UV Czujnik Schottky UV do monitorowania indeksu

  Temperatura przechowywania:-40-90°

  Temperatura pracy:-30-85°

  Napięcie wsteczne:Top - 30 ℃ Vr, max. Góra - 30 ℃ Vr, max. If,max. Jeśli,maks. V ㎂ Ir =

  Skontaktuj się teraz
• 

  GT-UV400-L Sapphire Window UV Photodiode Sensor dla UV Photocatalytic Monitoring

  Rozmiar chipa:1 mm2

  Kapsułkowanie:Do 46

  Cechy:Szafirowe okno, wysoka wrażliwość, niski prąd ciemny

  Skontaktuj się teraz
• 

  G365T01L Czujnik UVA UVB Baza azotku galu działająca w trybie fotowoltaicznym

  Materiał:materiał bazowy z azotku galu

  OBIEKT TESTOWY:szerokopasmowa fotodioda UVA+UVB+UVC

  Zasada:Praca w trybie fotowoltaicznym

  Skontaktuj się teraz
• 

  Czujnik fotodiodowy UV oparty na GaN UV GS-AB-S Praca w trybie fotowoltaicznym

  Materiał:materiał bazowy z azotku galu

  Szerokopasmowy:Fotodioda UVA + UVB + UVC

  Zasada:Praca w trybie fotowoltaicznym

  Skontaktuj się teraz
• 

  Monitoring wskaźnika UV fotodiody UV na bazie GaN GT-ABC-L

  Materiał:materiał podstawowy azotanu gallu

  Test kondycji:Broadband UVA+UVB+UVC Photodiode

  Zasada:Działanie w trybie fotowoltaicznym

  Skontaktuj się teraz
• 

  S1226-5BQ SI Pin Photodiode For UV to Visible Precision Photometry tłumi wrażliwość bliskiej podczerwieni

  Pakiet:DO-5

  Rozmiar obszaru światłoczuł:2.4*2..4 mm

  Napięcie wsteczne:5V

  Skontaktuj się teraz
• 

  S1227-66BR Si Fotodioda Wysoka czułość UV Czułość IR Reverse Voltahe VR Max 5V

  Pakiet:8.9*10.1mm

  Rozmiar obszaru aktywnego:5.8*5.8mm

  Odwrócone napięcie VR Max.:5V

  Skontaktuj się teraz
• 

  S1337-33BR 10-20mA Si Photodiode Analog Interface dla dokładnych pomiarów

  Czas odpowiedzi:1-2 ms

  WRAŻLIWOŚĆ:wysoki

  Temperatura przechowywania:-40 do +125°C

  Skontaktuj się teraz
• 

  S12060-10 Fotodiodę śniegu krzemu współczynnik niskiej temperatury

  Rodzaj:Typ bliskiej podczerwieni

  Obszar światłoczuły:φ1 mm

  Pakiet:Metal

  Skontaktuj się teraz