GT-UVC-L UVC Photodiode Photovoltaic Mode Operation Wysoka odporność i niski ciemny prąd

Opis produktu:

GT-UVC-L UVC Photodiode Photovoltaic Mode Operation Wysoka odporność i niski ciemny prąd

Charakterystyka:

Selektywna reakcja na pasmo UVC l Funkcjonowanie w trybie fotowoltaicznym l Obudowa metalowa TO-46 l Dobra ślepota słoneczna l Wysoka odporność i niski prąd ciemny

Monitorowanie lamp sterylizujących UV, pomiar dawki promieniowania UV, wykrywanie płomieni

Parametry Symbol Wartość Jednostka Maksymalne klasyfikacje

Zakres temperatury pracy Topt -25-85 oC

Zakres temperatury przechowywania Tsto -40-80 oC

Temperatura lutowania (3 s) Tsol 260 oC

Włókno obrotowe Vr-max -10 V

Ogólne cechy (25 oC) Rozmiar chipów A 1 mm2 Ciemny prąd (Vr = -1 V) Id <1 nA Współczynnik temperatury (@265 nm) Tc 0.05 %/ oC Pojemność (w 0 V i 1 MHz) Cp 18 pF Charakterystyka reakcji widmowej (25 oC) Długość fali szczytowej odpowiedzi λ p 285 nm Szczytowa odpowiedzi (w 285 nm) Rmax 0.178 A/W Zakres odpowiedzi widmowej (R=0,1 × Rmax) - 225-290 nm współczynnik odrzucenia UV widoczny (Rmax/R400 nm) - > 104

Specyfikacje: