Szczegóły Produktu:
|
Rozmiar chipa: | 1 mm2 | Kapsułkowanie: | Do 46 |
---|---|---|---|
Długość fali odpowiedzi: | 290-440 nm | Typowym zastosowaniem: | Monitorowanie utwardzania UV |
Podkreślić: | Moduł czujnika GaN UVC,moduł czujnika UVC utwardzanie UV,fotodioda SIC |
Opis produktu:
Funkcjonowanie w trybie fotowoltaicznym z fotodiodami UV opartymi na InGaN GT-UVV-LW
Charakterystyka:
Środki ogólne: l Materiał na bazie azotanu galium-indium
L Działanie w trybie fotowoltaicznym
L TO-46 obudowa metalowa
l Wysoka odporność i niski ciemny prąd
Zastosowania: Monitoring UV LED, pomiar dawki promieniowania UV, UV Curing
Parametry Symbol Wartość Jednostka Maksymalne klasyfikacje
Zakres temperatury pracy Topt -25-85 oC
Zakres temperatury przechowywania Tsto -40-85 oC
Temperatura lutowania (3 s) Tsol 260 oC
Włókno obrotowe Vr-max -10 V
Ogólne cechy (25 oC) Rozmiar chipów A 1 mm2 Ciemny prąd (Vr = -1 V) Id
< 1 nA Współczynnik temperatury Tc 0,05 %/ oC Pojemność (w 0 V i 1 MHz) Cp 60 p>
Specyfikacje:
Specyfikacje | Parametry |
Długość fali szczytowej | 390nm |
Wrażliwość na światło | 0.289A/W |
Zakres odpowiedzi widmowej (R=0,1 × Rmax) | - 290-440 nm |
Wskaźnik odrzucenia UV (Rmax/R400 nm) | - > 10 |
Osoba kontaktowa: Xu
Tel: 86+13352990255